سامسونگ در تدارک تولید انبوه نخستین تراشه اگزینوس 3 نانومتری خود است

شرکت‌های سامسونگ و Synopsis با صدور یک بیانیه مطبوعاتی اعلام کردند که واحد تولید نیمه‌هادی سامسونگ در حال آماده‌سازی بستر برای تولید انبوه اولین تراشه اگزینوس 3 نانومتری هستند. اگرچه بیانیه مطبوعاتی در رابطه با بخش اگزینوس صراحتا اعلام نظر نکرده است.

شرکت Synopsis یکی از متخصصان در زمینه اتوماسیون طراحی الکترونیک است و سامسونگ با هدف تنظیم دقیق کل فرآیند تولید و در نتیجه به حداکثر رساندن بازدهی و بهبود عملکرد تراشه با این کمپانی همکاری نموده است.

در بیانیه مطبوعاتی اعلام شده که دو شرکت بزرگ حوزه فناوری در فرآیند نهایی طرحی موسوم به taping out قرار دارند. این موضوع اساسا بدان معناست که طراحی نهایی به واحد تولید نیمه‌هادی ارسال شده است. این‌کار جهت تطبیق خطوط تولید با فرآیند تولید انبوه انجام می‌شود.

این نیمه‌هادی نخستین تراشه پیچیده سامسونگ با عملکردی پیشرفته به‌شمار رفته و بر پایه گره 3 نانومتری با استفاده از فرآیند Gate All Around (GAA) سامسونگ تولید می‌شود. واحد تولید نیمه‌هادی سامسونگ از سال 2022 اقدام به تولید تراشه‌های 3 نانومتری می‌کند؛ اما این تراشه‌ها نمونه‌های ساده‌ای به‌شمار رفته و برای استخراج ارزهای دیجیتالی مورد استفاده قرار می‌گیرند.

با این‌حال تراشه‌های مورد استفاده در دستگاه‌های موبایلی، قطعات سخت‌افزاری پیچیده‌تری بوده و به فرآیند طراحی و ساخت متفاوتی نیاز دارند. چنان‌چه همه چیز طبق برنامه پیش برود؛ در این‌صورت واحد تولید نیمه‌هادی سامسونگ طی چند ماه آینده فرآیند تولید انبوه تراشه نسل جدید را آغاز خواهد کرد.

با این‌حال هنوز مشخص نیست که آیا نخستین تراشه 3 نانومتری سامسونگ همان اگزینوس 2500 موجود در سری گلکسی S25 بوده یا این نیمه‌هادی با نام متفاوتی روانه بازار خواهد شد. به‌عنوان مثال سری گلکسی واچ 7 نیز به‌زودی معرفی شده و احتمالا از جدیدترین سخت‌افزار ارتقایافته سامسونگ بهره‌برداری خواهد کرد.